Datasheet下载- 型号： CY7C1512V18-200BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1512V18-200BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1512V18-200BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1512V18-200BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1512V18-200BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1512V18-200BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1512V18-200BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌 Technologies）推出的高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），属于QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）类型，18位数据总线、容量为72Mb（4M × 18），工作频率达200MHz（周期时间5ns），采用165-ball BGA封装（BZXC后缀表示无铅、符合RoHS、工业级温度范围–40°C至+85°C）。 其主要应用场景集中在对高带宽、低延迟、确定性访问时序要求严苛的中高端嵌入式与通信系统中，例如： - 网络设备：作为路由器、交换机、网络处理器（NPU）或FPGA/ASIC的片外高速缓存或缓冲存储器，用于包头解析、查找表（如TCAM辅助缓存）、流量整形及队列管理； - 电信基础设施：在基站基带单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中支持高速数据流暂存与速率匹配； - 测试测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器等需实时捕获并暂存大量采样数据； - 高端工业控制与医疗成像设备：配合FPGA实现图像帧缓冲或实时信号处理流水线中的中间数据暂存。 该器件支持双端口读写、独立读/写数据选通（K/K#和W/W#）、可编程突发长度及多种功耗管理模式，特别适合需要连续突发传输与精确时钟对齐的应用。因其QDR II+架构可在单个时钟周期内完成两次数据传输（上升沿+下降沿各一次读/写），有效提升吞吐率，是传统SRAM或DDR在确定性延迟场景下的优选替代方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1512V18-200BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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