Datasheet下载- 型号： CY7C1512V18-200BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1512V18-200BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1512V18-200BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1512V18-200BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1512V18-200BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1512V18-200BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1512V18-200BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM，属于1.8V低电压、16Mbit（1M×16）QDR II+架构的静态存储器。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB（转发信息库）缓存，得益于QDR II+双数据速率（读/写独立端口、200MHz时钟下等效400MT/s带宽），可满足线速处理需求。 - 电信与基站设备：在4G/5G无线基站的基带处理单元（BBU）中，用作FPGA或DSP的高速暂存器，支持实时信号处理、FFT缓存及CPRI/eCPRI接口数据缓冲。 - 测试测量仪器：高端示波器、逻辑分析仪中用于深度采集缓存，利用其零等待、确定性低延迟特性实现高速连续采样存储。 - 工业与医疗成像系统：如数字X光、超声设备中，作为图像帧缓存或实时图像预处理流水线的中间存储，保障高吞吐与低抖动。 该器件采用165-ball BGA封装（BZI后缀表示工业级温度范围：–40°C 至 +85°C），具备JTAG边界扫描、可编程驱动强度及掉电保持模式，适用于对可靠性、实时性和功耗均有要求的嵌入式高端应用。需注意：Cypress已于2020年被英飞凌收购，该型号现属英飞凌SRAM产品线，供货与技术支持由英飞凌承接。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1512V18-200BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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