Datasheet下载- 型号： CY7C1512KV18-300BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1512KV18-300BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1512KV18-300BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1512KV18-300BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1512KV18-300BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1512KV18-300BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1512KV18-300BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、300MHz（3.3ns读取周期）、2Mb（128K × 18位）的QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）架构产品。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、FIFO队列、查找表（LUT）缓存，利用QDR II+双沿采样与独立读/写端口特性，实现高吞吐、低延迟的并发读写。 - 电信基础设施：基站（BBU/RRU）、光传输设备（OTN、SDH/SONET）中用于信元/帧缓存、时隙交换及DMA暂存，满足严格时序与确定性延迟要求。 - 测试测量与高端FPGA协处理器系统：作为FPGA（如Xilinx Ultrascale+或Intel Stratix 10）的外部高速缓存或流数据缓冲，配合其LVDS接口实现稳定300MT/s数据传输。 - 军事/航空电子与工业控制：该型号为工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）且带“ZI”后缀，符合无铅、RoHS及部分AEC-Q可靠性要求，适用于对稳定性、抗干扰和宽温运行有严苛需求的嵌入式实时系统。 注：该器件已于Cypress被英飞凌收购后逐步纳入产品整合路线，当前供货及替代型号建议参考英飞凌官方文档（如推荐升级至Infineon QDR SRAM系列）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 72MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49103 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1512KV18-300BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 72M（4M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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