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型号： CY7C1512JV18-267BZI
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1512JV18-267BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1512JV18-267BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1512JV18-267BZI封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY7C1512JV18-267BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1512JV18-267BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1512JV18-267BZI 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、128K × 18位（2.304Mb）配置，最大工作频率达370MHz（2.7ns读写周期），支持流水线/突发读写模式，具备低功耗、高可靠性及工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）。

其典型应用场景包括：  
1. 高速网络设备：如路由器、交换机中的数据包缓冲、FIFO缓存及查找表（LUT）加速；  
2. 通信基站与无线基础设施：用于基带处理单元（BBU）中DSP/FPGA的高速本地缓存，满足低延迟数据吞吐需求；  
3. 工业自动化与嵌入式系统：在实时控制PLC、运动控制器中作为CPU或FPGA的零等待状态外部RAM，保障确定性响应；  
4. 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需高速采集与暂存大量采样数据的场景；  
5. 航空航天与军工电子：凭借工业级温度特性和高抗干扰能力，适用于恶劣环境下的关键数据缓存。

该芯片采用165-ball FBGA封装（13mm × 13mm），引脚兼容同类SRAM，便于系统升级。注意：其“-267BZI”后缀中“BZI”代表无铅、符合RoHS的工业级版本，“267”对应2.67ns访问时间（即370MHz时钟）。不适用于大容量长期存储（如SSD/硬盘），而是面向对速度、时序精度和可靠性要求严苛的高速缓存层。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 72MBIT 267MHZ 165FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册
产品图片
产品型号	CY7C1512JV18-267BZI
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	165-FBGA（15x17）
包装	托盘
存储器类型	SRAM - 同步，QDR II
存储容量	72M（4M x 18）
封装/外壳	165-LBGA
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	105
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	267MHz