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产品简介:
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Cypress Semiconductor Corp的CY7C1474BV33-200BGC是一款高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM),属于异步SRAM类别。该型号具有32K x 32位的存储容量,工作电压为3.3V,访问时间仅为200微微秒(ps),适用于对速度和性能要求较高的应用场景。 该器件主要应用于网络设备、通信系统、工业控制、测试设备以及嵌入式系统等领域。例如,在路由器和交换机中,它可用于缓存高速数据包信息;在通信基站中,用于临时存储处理中的信号数据;在工业控制系统中,作为高速缓冲存储器用于提升处理效率;在测试设备中,用于快速数据采集和暂存。 此外,由于其低功耗和高速特性,也适用于便携式设备和对功耗敏感的应用中。该SRAM采用高性能CMOS技术制造,具备较强的抗干扰能力和稳定性,适合在工业级温度范围内工作,封装形式为BGA,便于高密度PCB布局。 总之,CY7C1474BV33-200BGC适用于需要高速存取、低延迟和可靠性的各类电子系统中,是高性能存储解决方案的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC SRAM 72MBIT 200MHZ 209FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | CY7C1474BV33-200BGC |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | NoBL™ |
供应商器件封装 | 209-FBGA(14x22) |
包装 | 托盘 |
存储器类型 | SRAM - 同步 |
存储容量 | 72M(1M x 72) |
封装/外壳 | 209-BGA |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 84 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 3.135 V ~ 3.6 V |
速度 | 200MHz |