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- 型号： CY7C1423SV18-250BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1423SV18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1423SV18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1423SV18-250BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1423SV18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1423SV18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1423SV18-250BZC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于“存储器”类别，非品牌为“-”——此处“品牌为-”应为信息缺失或误填，实际品牌为Cypress/Infineon。 该器件是一款1.8V供电、256K × 36位（共9Mb）、250MHz（4ns周期）的QDR™ II+ SRAM，采用165-ball BGA封装（BZC后缀）。其核心应用场景聚焦于对带宽、低延迟和确定性时序要求极高的高速数据缓冲与暂存领域，典型应用包括： - 通信基础设施：在高端路由器、交换机及OTN设备中，用作FIFO缓冲、包分类表（TCAM辅助缓存）、流量管理队列或MAC层数据暂存； - 网络处理器（NP）与FPGA协处理：为Xilinx/Intel FPGA或专用网络处理器提供高速、双端口（读/写可同时进行）的片外共享缓存，支撑线速转发； - 测试测量设备：在高速逻辑分析仪、BERT误码仪中实现大深度、高采样率的数据捕获与实时缓存； - 军工与航天电子：凭借工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及高可靠性设计，适用于雷达信号处理、星载数据采集等严苛环境。 需注意：该芯片已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌QDR-IV或LPDDR系列替代方案。应用时须严格遵循时序约束、信号完整性及电源完整性设计规范。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1423SV18-250BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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