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  • 型号: CY7C1420UV18-300BZXC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1420UV18-300BZXC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1420UV18-300BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1420UV18-300BZXC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1420UV18-300BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1420UV18-300BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1420UV18-300BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V供电、18位数据总线、512K×18结构(共9Mb)、300MHz(3.3ns读取周期)的QDR-II+ SRAM。其典型应用场景包括:

- 高速网络设备:如路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、队列管理与查找表(TCAM辅助缓存),利用QDR-II+双数据速率特性实现高吞吐读写。

- 电信基础设施:基站(BBU/RRU)、光传输设备(OTN、SDH)中用于实时信号处理缓冲、FIFO暂存及协议解析中间数据缓存。

- 测试与测量仪器:高端示波器、逻辑分析仪等需高速采集与实时处理,该器件可作为深度采样缓存,支持连续高速数据流暂存。

- 军事与航空航天电子系统:在雷达信号处理、电子对抗设备中承担低延迟、高可靠性数据暂存任务(符合工业级温度范围–40°C至+85°C,无铅封装BGA)。

- FPGA协处理器接口:常与Xilinx或Intel FPGA搭配,作为外部高速共享内存,支撑图像处理、数字信号处理(DSP)等对带宽敏感的应用。

该器件不适用于大容量长期存储(如Flash或DDR),而是聚焦于需要纳秒级访问、确定性时序、零等待状态的高性能缓存/缓冲场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

产品图片

产品型号

CY7C1420UV18-300BZXC

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(13x15)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,DDR II

存储容量

36M(1M x 36)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

1

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

300MHz

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