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产品简介:
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CY7C1420UV18-300BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V供电、18位数据总线、512K×18结构(共9Mb)、300MHz(3.3ns读取周期)的QDR-II+ SRAM。其典型应用场景包括: - 高速网络设备:如路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、队列管理与查找表(TCAM辅助缓存),利用QDR-II+双数据速率特性实现高吞吐读写。 - 电信基础设施:基站(BBU/RRU)、光传输设备(OTN、SDH)中用于实时信号处理缓冲、FIFO暂存及协议解析中间数据缓存。 - 测试与测量仪器:高端示波器、逻辑分析仪等需高速采集与实时处理,该器件可作为深度采样缓存,支持连续高速数据流暂存。 - 军事与航空航天电子系统:在雷达信号处理、电子对抗设备中承担低延迟、高可靠性数据暂存任务(符合工业级温度范围–40°C至+85°C,无铅封装BGA)。 - FPGA协处理器接口:常与Xilinx或Intel FPGA搭配,作为外部高速共享内存,支撑图像处理、数字信号处理(DSP)等对带宽敏感的应用。 该器件不适用于大容量长期存储(如Flash或DDR),而是聚焦于需要纳秒级访问、确定性时序、零等待状态的高性能缓存/缓冲场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1420UV18-300BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,DDR II |
| 存储容量 | 36M(1M x 36) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |