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- 型号： CY7C1420JV18-300BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1420JV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1420JV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1420JV18-300BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1420JV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1420JV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1420JV18-300BZC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为1Mb（64K×16位）容量、18位数据总线、3.3V供电、300MHz（3.3ns周期）工作频率的高速CMOS SRAM，采用119-ball BGA封装（ZC后缀）。 典型应用场景包括： • 通信设备中的高速缓存与缓冲，如路由器、交换机的数据包暂存、FIFO缓冲； • 工业控制与嵌入式系统中对低延迟、确定性访问要求严格的实时数据暂存，例如运动控制器、PLC模块； • 测试测量仪器（如逻辑分析仪、高速示波器）的采集缓存，支持连续高速数据捕获； • 视频处理系统（如图像采集卡、视频编解码板）的帧缓冲或行缓冲； • FPGA/ASIC原型验证平台中作为片外高速协作存储，配合其并行接口实现高带宽数据交换。 其特点——零等待、突发读写、支持字节使能及可编程输出驱动强度——使其特别适用于需稳定纳秒级响应、无动态刷新负担、且对可靠性与温度适应性（工业级-40°C~+85°C）有要求的场景。不适用于大容量、低成本存储（如替代DDR或Flash），而是聚焦于关键路径上的高速、低延迟、高可靠中间缓存角色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1420JV18-300BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（1M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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