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- 型号： CY7C1420JV18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1420JV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1420JV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1420JV18-250BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1420JV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1420JV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1420JV18-250BZI 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于存储器类别。其关键特性包括：1.8V核心供电、250MHz工作频率（4ns读写周期）、2M×18位组织结构（共36Mb）、支持QDR-II+架构（双数据速率、独立读/写端口）、工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及符合RoHS的BGA封装（165-ball FBGA）。 典型应用场景集中于对带宽、低延迟和确定性时序要求严苛的中高端嵌入式与通信系统，例如： - 网络设备：作为路由器、交换机或网络处理器（NPU）中的高速缓存、包缓冲区或FIFO，支撑线速转发与深度包检测（DPI）； - 电信基础设施：用于基站基带单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中的信元/帧缓存、速率适配及突发数据暂存； - 测试测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中用作深度实时采样缓存，保障高吞吐数据捕获； - 军工与航空航天：凭借工业级温宽和高可靠性，适用于雷达信号处理、航电数据记录等需稳定运行的场景； - 高端工业控制：如实时运动控制器、PLC高速I/O模块的数据暂存与协议转换缓冲。 该器件不适用于大容量长期存储（如硬盘/SSD替代），亦非通用主存（DDR类），而是专为需要纳秒级访问、零等待状态及双端口并发操作的高性能缓存/缓冲场景设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1420JV18-250BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（1M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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