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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1418KV18-333BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1418KV18-333BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1418KV18-333BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1418KV18-333BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1418KV18-333BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1418KV18-333BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1418KV18-333BZC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于“存储器”类别。该器件为18Mb（1024K × 18位）双端口SRAM，工作频率达333MHz（3.0ns读/写周期），采用165球BGA封装（BZC后缀），支持3.3V供电与LVCMOS/LVTTL接口。 其典型应用场景包括： 1. 高速网络设备：用作路由器、交换机中的数据包缓存、FIFO缓冲或查找表（如TCAM辅助缓存），满足低延迟、高吞吐需求； 2. 通信基站与光传输系统：在FPGA/DSP协处理中提供零等待、确定性访问的片外高速缓存，支撑实时信号处理与协议解析； 3. 工业自动化与测试仪器：用于高速数据采集卡、逻辑分析仪的深度缓存，确保突发数据不丢失； 4. 军事/航天嵌入式系统（需选用对应等级版本）：因SRAM具备抗辐射、无刷新、快速启动等特性，适用于高可靠性实时控制场景。 需注意：该型号已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌替代方案（如PSRAM或新型QDR SRAM）。实际应用中需配合匹配的终端电阻、严格PCB布线（阻抗控制、等长走线）以保障信号完整性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49046 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1418KV18-333BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1418KV18333BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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