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- 型号： CY7C1415KV18-333BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1415KV18-333BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1415KV18-333BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1415KV18-333BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1415KV18-333BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1415KV18-333BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1415KV18-333BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于QDR™ II+（Quad Data Rate II Plus）类型，18位数据总线、容量为72Mb（4M × 18），工作频率达333MHz（周期时间3ns），支持双倍数据速率读写，具备低延迟、高吞吐量和确定性时序特性。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：用于高端路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表（如TCAM辅助缓存）、队列管理及流量整形模块，满足高速报文处理对纳秒级访问延迟的要求； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输系统（OTN/SDH）中作为FPGA或DSP的高速暂存器，支撑实时信号处理与协议解析； - 测试与测量仪器：在高速逻辑分析仪、误码率测试仪中用作深度采集缓存，确保不丢失高频数据流； - 军事/航天嵌入式系统：凭借工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）和符合JESD22可靠性标准的封装（BGA，ZI后缀表示无铅、符合RoHS），适用于抗辐射加固设计中的关键缓存节点。 该器件不适用于大容量存储或低成本消费电子，而是面向对带宽、时序精度和稳定性有严苛要求的专业领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49045 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1415KV18-333BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 不适用 / 不适用 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | 428-3170 |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（1M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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