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  • 型号: CY7C1415BV18-250BZI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1415BV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1415BV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1415BV18-250BZI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1415BV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1415BV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1415BV18-250BZI 是赛普拉斯(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于“存储器”类别,18位数据总线、容量为1Mb(64K × 18),工作频率达250MHz(tAA = 2.5ns),采用PBGA封装(BZI后缀表示工业级温度范围:–40°C 至 +85°C),支持QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)接口。

其典型应用场景包括:  
- 高速网络设备:如万兆以太网交换机、路由器中的包缓冲、FIFO缓存及查找表(LUT)加速;  
- 通信基础设施:基站基带处理单元(BBU)、CPRI/eCPRI接口模块中用于低延迟数据暂存与速率匹配;  
- 测试测量仪器:高端示波器、逻辑分析仪等需实时高速采集与暂存大量采样数据的场景;  
- 军工与工业控制:得益于工业级温度和高可靠性设计,适用于航空电子、雷达信号处理、PLC高速I/O模块等对时序精度与稳定性要求严苛的嵌入式系统;  
- FPGA协处理器缓存:常与Xilinx或Intel FPGA搭配,作为片外高速缓存(如用于DMA引擎或视频流水线中的帧缓冲)。

该器件不适用于大容量长期存储(如硬盘/SSD替代),亦非通用主存;其核心价值在于纳秒级随机访问、无刷新需求及确定性低延迟,专为吞吐密集型、实时性敏感的嵌入式计算场景而优化。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

CY7C1415BV18-250BZI

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(15x17)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,QDR II

存储容量

36M(1M x 36)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

-40°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

105

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

250MHz

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