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型号： CY7C1414BV18-250BZC
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1414BV18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1414BV18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1414BV18-250BZC封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY7C1414BV18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1414BV18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1414BV18-250BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步静态RAM（SSRAM），属于1Mb（64K×16位）双端口SRAM，带ZBT（Zero Bus Turnaround）架构和250MHz时钟（4ns读写周期）。其典型应用场景包括：

- 高速网络设备：用于路由器、交换机中的数据包缓冲、FIFO缓存及查找表（如TCAM辅助存储），满足低延迟、零等待总线切换需求；  
- 通信基站与无线基础设施：在FPGA/DSP协处理器间作高速共享内存，支撑实时基带处理、信道编码/解码数据暂存；  
- 工业自动化与测试仪器：作为逻辑分析仪、高速ADC/DAC采集系统的片外缓存，确保连续数据流无丢帧；  
- 嵌入式图像/视频处理系统：用于帧缓冲、图像预处理中间结果暂存（如边缘检测、缩放），配合FPGA或专用ASIC实现流水线加速；  
- 军用/航天高可靠性场景：该器件采用BGA封装（119-ball fine-pitch）、支持工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），部分批次符合AEC-Q200或抗辐射要求，适用于车载雷达、航电数据记录模块等。

注：该芯片已于Cypress产品生命周期后期停产（EOL），当前多由英飞凌提供替代方案（如PSRAM或新型QDR SRAM），新设计建议评估兼容升级路径。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册
产品图片
产品型号	CY7C1414BV18-250BZC
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	165-FBGA（15x17）
包装	托盘
存储器类型	SRAM - 同步，QDR II
存储容量	36M（1M x 36）
封装/外壳	165-LBGA
工作温度	0°C ~ 70°C
接口	并联
标准包装	105
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	250MHz