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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1414BV18-200BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1414BV18-200BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1414BV18-200BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1414BV18-200BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1414BV18-200BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1414BV18-200BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1414BV18-200BZC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为1Mb（64K×16位）容量、18位数据总线（含16位数据+2位奇偶校验）、200MHz时钟频率（5ns读写周期）、采用119球BGA封装的低压（1.8V核心电压）QDR-II+ SRAM。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、FIFO、查找表（LUT）和流量管理缓存，得益于QDR-II+双数据速率架构（读/写独立端口、无总线争用），可实现高吞吐与低延迟； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中的实时数据暂存与信令缓存； - 测试测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器的深度采集缓存，支持连续高速数据流捕获； - 军工与航天电子系统：在需高可靠性、宽温（–40°C至+85°C）、抗干扰及确定性访问时序的关键控制模块中作为高速本地内存； - FPGA协处理器缓存：常与Xilinx或Intel FPGA配合，用作片外高速缓存或DMA数据缓冲，提升数据通路效率。 注：该型号已进入产品寿命终止（EOL）阶段，新设计建议评估英飞凌推荐替代型号（如CY7C1414V18系列后续版本）并参考最新数据手册。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1414BV18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（1M x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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