Datasheet下载- 型号： CY7C1413KV18-300BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1413KV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1413KV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1413KV18-300BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1413KV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1413KV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1413KV18-300BZC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为18Mb（1M × 18位）容量、3.3V供电、300MHz（3.3ns周期）工作频率的QDR-II+ SRAM，采用165-ball BGA封装（BZC后缀）。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如核心路由器、交换机中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB（转发信息库）缓存等，利用QDR-II+双数据速率与独立读/写端口特性实现高吞吐流水线操作； - 电信基础设施：基站基带处理单元（BBU）、OTN/SDH传输设备中用于低延迟、确定性访问的暂存与队列管理； - 测试测量与高端FPGA协处理器系统：作为FPGA（如Xilinx UltraScale+或Intel Stratix 10）的外置高速缓存或流数据缓冲，弥补片内BRAM容量不足； - 军事/航天嵌入式系统（因BZC为工业级温度范围–40°C至+85°C，具备较高可靠性）：雷达信号处理、实时图像帧缓存等对时序严格、无动态刷新要求的场景。 该芯片不适用于大容量主存或低成本消费类应用，而是面向对带宽（峰值达1.2 GB/s）、确定性延迟和并发读写能力有严苛要求的专业领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49413 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1413KV18-300BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1413KV18300BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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