Datasheet下载- 型号： CY7C1413JV18-300BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1413JV18-300BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1413JV18-300BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1413JV18-300BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1413JV18-300BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1413JV18-300BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1413JV18-300BZXC 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步静态随机存取存储器（SSRAM），具体为 72-Mbit（4M × 18）QDR II+ SRAM，工作频率达300 MHz（周期时间3.33 ns），采用165-ball FBGA封装，支持1.8V核心供电。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：用于路由器、交换机及网络处理器（NPU）中的数据包缓冲、查找表（如TCAM辅助缓存）、队列管理等，凭借QDR II+双数据速率、独立读/写端口特性，实现低延迟、高吞吐的并行存取。 - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输设备（OTN/SDH）中承担实时信令缓存、FIFO缓冲及中间数据暂存。 - 测试与测量仪器：高速示波器、逻辑分析仪等需大容量、纳秒级访问的实时数据采集与深度缓存。 - 高端工业与军事系统：对可靠性、温度范围（–40°C 至 +85°C，工业级）和抗干扰性要求严苛的嵌入式实时控制平台。 该器件不适用于普通消费类电子或低成本MCU系统，主要面向对带宽、确定性延迟和并发读写能力有极致要求的专业领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1413JV18-300BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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