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- 型号： CY7C1413BV18-200BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1413BV18-200BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1413BV18-200BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1413BV18-200BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1413BV18-200BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1413BV18-200BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1413BV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低压、18位总线宽度的QDR-II+（Quad Data Rate II Plus）SRAM，工作频率达200MHz（周期时间5ns），数据速率高达800MT/s。 其典型应用场景包括： • 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB（转发信息库）缓存，利用QDR-II+双沿采样与独立读/写端口实现零等待、高吞吐并发访问； • 通信基站与无线基础设施：在5G BBU/RRU中用于基带信号处理的中间数据暂存、信道编码/解码缓冲，满足低延迟、确定性时序要求； • 测试测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器的数据采集缓存，支持连续大深度实时采样； • 工业与军事航空电子系统：需高可靠性、宽温（-40°C ~ +85°C）、抗辐射（工业级封装）的实时控制与图像处理前端缓存； • FPGA协处理器接口：常作为Xilinx或Intel FPGA的高速外部存储器，为软核处理器或定制加速器提供低延迟内存扩展。 该器件采用165-ball FBGA封装（BZC后缀），符合RoHS，适用于对带宽、时序精度和功耗敏感的嵌入式高性能场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1413BV18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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