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产品简介:
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CY7C1412TV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V供电、2MB(128K × 18位)总线宽度的QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)SRAM。其典型应用场景聚焦于对带宽、低延迟和确定性时序要求极高的高速数据缓冲与暂存领域。 主要应用包括: - 网络通信设备:如高端路由器、交换机、网络处理器(NPU)中的包缓存、队列管理、FIFO缓冲及查找表(LUT)暂存; - 电信基础设施:基站(尤其是4G/5G前传/中传)、光传输设备(OTN)中的信元/帧缓冲、流量整形与速率适配; - 测试与测量仪器:高速逻辑分析仪、示波器的数据采集缓存,需连续高吞吐写入与并行读取; - 军事/航空电子系统:雷达信号处理、实时图像缓存等对可靠性、宽温(–40°C 至 +85°C,工业级)及抗干扰能力要求严苛的场景; - FPGA协处理加速:作为Xilinx或Intel FPGA的外部高速外挂存储器,用于算法流水线中的中间结果暂存(如FFT、滤波、视频编解码)。 该器件支持双倍数据速率(DDR)读写+双沿采样+预取机制,有效时钟频率达200MHz,峰值带宽可达1.6 GB/s(18位×200MHz×2),配合片选/地址锁存优化,适合确定性实时系统。不适用于大容量长期存储(如Flash替代)或低功耗便携设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1412TV18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 36M(2M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |