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  • 型号: CY7C1412TV18-200BZC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1412TV18-200BZC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1412TV18-200BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1412TV18-200BZC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1412TV18-200BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1412TV18-200BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1412TV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V供电、2MB(128K × 18位)总线宽度的QDR-II+(Quad Data Rate II Plus)SRAM。其典型应用场景聚焦于对带宽、低延迟和确定性时序要求极高的高速数据缓冲与暂存领域。

主要应用包括:  
- 网络通信设备:如高端路由器、交换机、网络处理器(NPU)中的包缓存、队列管理、FIFO缓冲及查找表(LUT)暂存;  
- 电信基础设施:基站(尤其是4G/5G前传/中传)、光传输设备(OTN)中的信元/帧缓冲、流量整形与速率适配;  
- 测试与测量仪器:高速逻辑分析仪、示波器的数据采集缓存,需连续高吞吐写入与并行读取;  
- 军事/航空电子系统:雷达信号处理、实时图像缓存等对可靠性、宽温(–40°C 至 +85°C,工业级)及抗干扰能力要求严苛的场景;  
- FPGA协处理加速:作为Xilinx或Intel FPGA的外部高速外挂存储器,用于算法流水线中的中间结果暂存(如FFT、滤波、视频编解码)。

该器件支持双倍数据速率(DDR)读写+双沿采样+预取机制,有效时钟频率达200MHz,峰值带宽可达1.6 GB/s(18位×200MHz×2),配合片选/地址锁存优化,适合确定性实时系统。不适用于大容量长期存储(如Flash替代)或低功耗便携设备。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

产品图片

产品型号

CY7C1412TV18-200BZC

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(13x15)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,QDR II

存储容量

36M(2M x 18)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

1

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

200MHz

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