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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1412KV18-250BZXI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1412KV18-250BZXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1412KV18-250BZXI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1412KV18-250BZXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1412KV18-250BZXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1412KV18-250BZXI 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于QDR™ II+(Quad Data Rate II Plus)类型,容量为72Mb(4M × 18位),工作频率达250MHz(tCLK=4ns),支持双数据速率读/写,具备独立读写端口与突发访问能力。 其典型应用场景包括: - 高速网络设备:用于路由器、交换机、网络处理器(NPU)中的包缓冲、队列管理及查找表(如TCAM辅助缓存),满足低延迟、高吞吐需求; - 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、光传输设备中承担实时数据暂存与FIFO功能; - 测试与测量仪器:如高速逻辑分析仪、示波器,利用其确定性访问时序实现精确采样数据缓存; - 军事与航空航天电子系统:因该器件采用工业级扩展温度范围(–40°C 至 +85°C)及符合AEC-Q200的X系列(Z字尾标识),具备高可靠性,适用于雷达信号处理、飞行控制数据缓存等严苛环境; - 高端工业控制与FPGA协处理器接口:常作为FPGA(如Xilinx或Intel高端系列)的外部高速缓存或帧缓冲,提升数据吞吐效率。 注:该器件已进入产品生命周期末期(EOL),当前多由英飞凌延续支持,新设计建议评估替代型号(如Infineon QDR-IV系列)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA静态随机存取存储器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 产品手册 | http://www.cypress.com/?docID=49094 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1412KV18-250BZXI- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49094 |
| 产品型号 | CY7C1412KV18-250BZXI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 其它名称 | 428-3302 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 36M(2M x 18) |
| 存储类型 | QDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 封装/箱体 | FBGA-165 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 136 |
| 接口 | 并联 |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 610 mA |
| 最大时钟频率 | 250 MHz |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 电源电压-最大 | 1.9 V |
| 电源电压-最小 | 1.7 V |
| 类型 | Synchronous |
| 系列 | CY7C1412KV18 |
| 组织 | 2 M x 18 |
| 访问时间 | 0.45 ns |
| 速度 | 250MHz |