Datasheet下载- 型号： CY7C1412BV18-250BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1412BV18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1412BV18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1412BV18-250BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1412BV18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1412BV18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1412BV18-250BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的16Mbit（2M×8/1M×16）双端口SRAM，具备250MHz工作频率（4ns读写周期）、BGA封装（11×13mm，165球）及低功耗特性。 其典型应用场景包括： 1. 高速网络设备：用作路由器、交换机中的数据包缓存、FIFO缓冲或查找表（LUT）存储，满足线速转发对低延迟、高吞吐的需求； 2. 通信基站与无线基础设施：在基带处理单元（BBU）中暂存实时信号处理数据（如FFT、信道均衡中间结果），支持多处理器并行访问； 3. 工业与医疗成像系统：作为图像采集卡或数字信号处理器（DSP）的片外高速缓存，支撑高帧率、高分辨率视频流的实时缓冲与预处理； 4. 测试测量仪器：在逻辑分析仪、高速示波器中实现深度数据采集缓存，确保不丢失关键瞬态信号； 5. 军用/航天嵌入式系统：凭借宽温范围（–40°C至+85°C）、高抗干扰性及成熟可靠性，适用于雷达信号处理、飞行控制等对确定性时序要求严苛的场景。 该器件支持独立双端口（可同时读/写不同地址）、可编程等待状态及多种省电模式，特别适合需确定性低延迟、无刷新开销、强实时性的嵌入式计算环境。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1412BV18-250BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 36M（2M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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