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产品简介:
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CY7C1412BV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1.8V、2M×18位(36Mb)、200MHz(5ns周期)的ZBT(Zero Bus Turnaround)架构高速SRAM。其典型应用场景包括: - 网络通信设备:用于高端路由器、交换机、防火墙中的数据包缓冲、FIFO队列和查找表(如TCAM辅助缓存),凭借零总线转向特性,显著提升突发读写效率,满足线速转发需求。 - 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、光传输设备(OTN/SDH)中作为协处理器或DSP/FPGA的高速外置缓存,支持低延迟、确定性访问,保障实时信号处理性能。 - 工业与嵌入式系统:适用于高可靠性工控PLC、医疗影像设备(如CT/MRI前端数据采集缓存)及测试测量仪器,利用其无刷新、宽温(–40°C ~ +85°C)、高抗干扰特性确保稳定运行。 - 军事与航天(需选用对应等级版本):在雷达信号处理、电子战系统中承担高速中间数据暂存任务(注:该型号为商用级BZC封装,若用于严苛环境需确认是否通过相应筛选或选用军温/抗辐照版本)。 该器件采用165-ball FBGA封装,支持先进总线协议,常与FPGA(如Xilinx Kintex/Virtex)、ASIC或专用网络处理器协同工作,是要求纳秒级响应、连续高速吞吐的关键子系统的理想存储方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1412BV18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(15x17) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 36M(2M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |