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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1393KV18-333BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1393KV18-333BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1393KV18-333BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1393KV18-333BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1393KV18-333BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1393KV18-333BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1393KV18-333BZI 是 Cypress Semiconductor Corp（现属英飞凌Infineon）推出的一款高性能同步双端口静态RAM（SRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、256K × 18位（共4.5 Mbit）的双端口SRAM，支持333 MHz DDR数据速率（tCLK = 3 ns），具备独立的A/B端口，可实现真正并行读写操作。 典型应用场景包括： - 通信设备：用于高速网络交换机、路由器中的缓冲存储、FIFO管理及包处理，满足低延迟、高吞吐需求； - 工业与嵌入式系统：在实时控制系统、PLC、FPGA协处理器中作为共享内存，供CPU与DSP/FPGA双向高速存取； - 测试测量仪器：如高速逻辑分析仪、示波器的数据采集缓存，利用其双端口特性实现“一边写入采样数据、一边读出分析”的无缝流水线操作； - 军事/航天（因ZI后缀表示-40°C至+85°C工业级温度范围，含无铅与符合RoHS）：适用于对可靠性与抗干扰性要求较高的加固型电子系统。 其关键优势在于零总线争用、无须仲裁逻辑、确定性访问时序及低功耗设计，特别适合需要两个主设备（如ARM+FPGA或双核处理器）安全、高效共享数据的关键任务场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49124 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1393KV18-333BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1393KV18333BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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