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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1393KV18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1393KV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1393KV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1393KV18-250BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1393KV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1393KV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1393KV18-250BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步双端口静态RAM（SRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、256K × 18位（共4.5Mbit）配置，带流水线读/写操作和250MHz时钟（4ns周期），支持独立双端口并行访问（A/B端口可同时读写不同地址），内置仲裁逻辑与中断标志，符合工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及无铅（RoHS）要求。 典型应用场景包括： 1. 高速通信设备：在FPGA/ASIC与处理器间作数据缓冲或共享内存，如网络交换机、路由器中的包缓存与队列管理； 2. 实时嵌入式系统：用于多处理器架构（如主控CPU与协处理器/DSP）间的低延迟、确定性数据交换，常见于工业控制、医疗成像设备； 3. 测试与测量仪器：作为高速采集系统的暂存缓冲，支持连续采样与后台处理并行运行； 4. 雷达与信号处理系统：满足高吞吐、零等待、双端口并发需求，适用于数字波束成形、FFT数据交换等场景。 其低功耗、高可靠性及工业级温宽，也适用于航天、军工等严苛环境下的关键数据暂存任务（需选用对应等级版本）。注意：该型号已停产（EOL），当前设计建议参考英飞凌推荐替代型号（如PSRAM或新型双端口SRAM系列）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49124 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1393KV18-250BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1393KV18250BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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