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型号： CY7C1393JV18-300BZXC
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1393JV18-300BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1393JV18-300BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1393JV18-300BZXC封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY7C1393JV18-300BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1393JV18-300BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1393JV18-300BZXC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步双端口静态RAM（Dual-Port SRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、300MHz工作频率、1M×18位（共18Mb）容量，支持左右双端口独立异步/同步访问，具备中断、忙信号及邮箱等硬件协处理功能。

典型应用场景包括：  
1. 高速通信设备：如网络路由器、交换机中的数据包缓冲、FIFO队列及报文暂存，利用双端口特性实现读写并行，避免总线争用；  
2. 工业与嵌入式实时系统：PLC、运动控制器中作为CPU与FPGA/DSP间高速共享内存，支撑实时数据交换与协同处理；  
3. 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪的深度采集缓存，满足高带宽、低延迟的连续数据捕获需求；  
4. 雷达与信号处理系统：在FPGA+DSP架构中承担ADC采样数据缓存或FFT中间结果暂存，支持多通道并行处理；  
5. 医疗成像设备：如超声或CT前端数据通路中的帧缓冲与预处理缓存，保障图像流水线吞吐率。

其-300B后缀代表300MHz时钟速率（tCLK=3.33ns），BZXC为无铅、符合RoHS的TQFP-100封装，适用于对可靠性、时序确定性和低功耗有要求的工业级环境。需注意该芯片已进入产品生命周期末期（EOL），新设计建议评估英飞凌替代型号（如CY7C1399系列）或同类双端口SRAM方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY7C1393JV18-300BZXC
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	165-FBGA（13x15）
包装	托盘
存储器类型	SRAM - 同步，DDR II
存储容量	18M（1M x 18）
封装/外壳	165-LBGA
工作温度	0°C ~ 70°C
接口	并联
标准包装	136
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	300MHz