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型号： CY7C1393BV18-250BZI
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1393BV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1393BV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1393BV18-250BZI封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY7C1393BV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1393BV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1393BV18-250BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步双端口静态RAM（SRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、256K×18位（4.5 Mbit）配置，支持最高250MHz时钟频率（4 ns读写周期），具备真正的双端口架构（两套独立地址/数据/控制总线），可实现两端口同时无冲突读写。

典型应用场景包括：  
1. 高速通信设备：在路由器、交换机及网络处理器中用作数据包缓冲、FIFO或共享内存，支撑多协议并行处理；  
2. 工业与嵌入式系统：用于PLC、运动控制器等需实时双CPU协同的场景，如主控与协处理器间高速数据交换；  
3. 测试测量仪器：在高速示波器、逻辑分析仪中作为深度采集缓存，满足高吞吐率实时波形存储需求；  
4. 军事与航空电子：凭借-40°C至+85°C工业级温度范围（ZI后缀标识）及高可靠性，适用于抗干扰要求严苛的板级互连缓冲；  
5. FPGA协处理系统：常与Xilinx/Intel FPGA配合，作为外挂高速共享RAM，缓解片内BRAM资源限制，提升数据吞吐效率。

其低功耗、零等待、无总线争用特性，使其特别适合对确定性延迟和并发访问有严苛要求的实时嵌入式系统。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY7C1393BV18-250BZI
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	165-FBGA（13x15）
包装	托盘
存储器类型	SRAM - 同步，DDR II
存储容量	18M（1M x 18）
封装/外壳	165-LBGA
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	并联
标准包装	136
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	250MHz