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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1370D-200BGXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1370D-200BGXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1370D-200BGXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1370D-200BGXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1370D-200BGXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1370D-200BGXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1370D-200BGXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高速同步静态RAM（SSRAM），属于ZBT（Zero Bus Turnaround）类型，200MHz工作频率，容量为16Mbit（1M×16位），采用119-ball BGA封装（BGXC后缀表示无铅、符合RoHS的商用级器件）。 其主要应用场景包括： - 网络通信设备：用作路由器、交换机中的数据包缓存、FIFO缓冲或查找表（如CAM辅助存储），得益于ZBT架构零等待总线切换特性，可显著提升突发数据吞吐效率； - 工业与嵌入式系统：在FPGA/ASIC协处理器系统中作为高速片外缓存，支持实时图像处理、运动控制等对低延迟敏感的应用； - 测试测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中暂存采集的海量时序数据，满足高带宽、确定性访问需求； - 军事/航天衍生应用（需选用对应温度等级版本）：部分加固型设计中用于雷达信号处理的中间缓存，但本型号（BGXC）为商用级（0°C~70°C），不适用于严苛环境。 需注意：该器件已于2018年左右进入产品生命周期终止（EOL）阶段，目前多为存量市场供应或替代升级（如英飞凌推荐迁移至更集成的PSRAM或新型SRAM方案）。实际选型应结合功耗、接口兼容性及长期供货考量。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 119BGA静态随机存取存储器 512Kx36 3.3V NoBL Sync PL 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1370D-200BGXCNoBL™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CY7C1370D-200BGXC |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 119-PBGA（14x22） |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 |
| 存储容量 | 18 Mbit |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | 119-BGA |
| 封装/箱体 | BGA-119 |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 工厂包装数量 | 84 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 70 C |
| 最大工作电流 | 300 mA |
| 最大时钟频率 | 200 MHz |
| 最小工作温度 | 0 C |
| 标准包装 | 84 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3.135 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3.135 V |
| 类型 | Synchronous |
| 系列 | CY7C1370D |
| 组织 | 512 k x 36 |
| 访问时间 | 3 ns |
| 速度 | 200MHz |
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