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  • 型号: CY7C1361B-100BZI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1361B-100BZI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1361B-100BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1361B-100BZI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1361B-100BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1361B-100BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1361B-100BZI 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高速异步静态RAM(SRAM),容量为256K × 16位(即512KB),访问时间为100ns,采用119引脚PBGA封装,工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),支持3.3V供电。

其典型应用场景包括:  
🔹 通信设备:用作网络处理器、交换机/路由器中的数据缓存或FIFO缓冲,满足高速突发数据暂存需求;  
🔹 工业控制与自动化:在PLC、运动控制器或实时I/O模块中作为低延迟、高可靠性的临时数据存储,保障确定性响应;  
🔹 测试测量仪器:如逻辑分析仪、示波器中用于高速采样数据的暂存,配合FPGA或DSP实现快速读写;  
🔹 军事与航空航天(因工业级温度及高可靠性):在加固型嵌入式系统中承担关键中间数据缓存任务;  
🔹 传统嵌入式系统升级:替代老式SRAM(如IS61LV系列),兼容标准异步接口,无需复杂时序控制,便于硬件迁移。

该器件不带内置刷新电路(非DRAM),无掉电数据丢失风险(需持续供电),适合对访问延迟敏感、要求零等待状态运行的实时系统。注意:其已停产(EOL),当前多用于存量设备维护或替代设计选型。
产品参数 图文手册 常见问题
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