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产品简介:
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CY7C1354C-200BGC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高速同步静态RAM(SSRAM),容量为128K × 36位(即4.5 Mbit),工作频率达200 MHz(5 ns读/写周期),采用PBGA封装(BGC表示119-pin Fine-Pitch Ball Grid Array),支持3.3V供电与SSTL_2接口标准。 其典型应用场景包括: - 网络通信设备:用作路由器、交换机中的数据包缓冲区或FIFO缓存,满足高速突发数据吞吐需求; - 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、ATM交换芯片或TDM复用器中提供低延迟、确定性访问的临时存储; - 工业与嵌入式系统:用于高实时性要求的运动控制、图像采集卡或FPGA协处理器的片外高速缓存; - 测试测量仪器:在逻辑分析仪、高速示波器中作为深度采集内存,支撑长时间高速采样数据暂存。 该器件支持ZBT(Zero Bus Turnaround)模式,可无缝切换读写操作,显著提升总线利用率,特别适合读写频繁交替的场景。其工业级温度范围(–40°C 至 +85°C)和高可靠性设计也适用于严苛环境下的关键应用。需注意:Cypress已停止该型号新订单(EOL),当前多用于存量设备维护或替代方案评估。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 9MBIT 200MHZ 119BGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1354C-200BGC |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=28345 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | NoBL™ |
| 供应商器件封装 | 119-PBGA(14x22) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 |
| 存储容量 | 9M(256K x 36) |
| 封装/外壳 | 119-BGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 84 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3.135 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 200MHz |