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- 型号： CY7C1320BV18-200BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1320BV18-200BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1320BV18-200BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1320BV18-200BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1320BV18-200BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1320BV18-200BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1320BV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的16Mb（1M × 16位）QDR II+ SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、网络处理器（NPU）的数据包缓冲与查找表（LUT）缓存，利用其双数据速率（DDR）读/写能力及200MHz时钟（400MT/s有效带宽）满足线速转发需求。 - 电信基础设施：基站基带处理、光传输系统（OTN/SDH）中的FIFO缓存、信元/帧暂存，依赖其低延迟（单周期访问）、确定性时序和QDR II+特有的独立读/写端口特性，实现无冲突并发操作。 - 高端测试测量与FPGA协处理：作为FPGA（如Xilinx Ultrascale/Virtex或Intel Stratix）的高速外挂缓存，用于实时数据采集、波形生成或图像预处理缓冲，弥补片内BRAM容量不足。 - 军事与航空电子：在要求高可靠性、宽温工作（该器件为工业级，-40°C ~ +85°C）及抗辐射加固设计的场景中，用作雷达信号处理、航电总线桥接的临时数据交换区。 注：该芯片已停产（EOL），当前多用于存量设备维护或替代设计评估，新项目建议参考英飞凌后续QDR SRAM或LPDDR系列。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1320BV18-200BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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