Datasheet下载- 型号： CY7C13201KV18-333BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C13201KV18-333BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C13201KV18-333BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C13201KV18-333BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C13201KV18-333BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C13201KV18-333BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C13201KV18-333BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌 Technologies）推出的一款高性能同步双端口静态RAM（SRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、2M×18位（36Mb）配置，支持333MHz DDR2速率（数据速率高达666MT/s），具备独立双向数据总线和低延迟访问特性。 其典型应用场景包括： - 网络通信设备：用于高端路由器、交换机及网络处理器（NPU）中的高速数据包缓存、FIFO缓冲与表项暂存； - 电信基础设施：在基站基带处理单元（BBU）、光传输设备中承担实时数据交换与乒乓缓冲； - 工业与嵌入式系统：适用于需要高可靠性、零等待状态读写的实时控制平台（如PLC、运动控制器）； - 测试测量仪器：在高速逻辑分析仪、示波器中用作深度采集缓存，支持连续高速数据流暂存； - 军事/航空航天电子：凭借宽温（–40°C 至 +85°C）、符合工业级可靠性标准（如JEDEC）及抗单粒子翻转设计（部分版本），适用于加固型嵌入式系统。 该芯片支持QDR-II+架构，具备独立读写端口、可编程突发长度与差分时钟输入，便于实现确定性低延迟数据通路，特别适合对吞吐量、时序精度和并发访问要求严苛的中高端嵌入式实时系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 333MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C13201KV18-333BZXC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 333MHz |
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