Datasheet下载- 型号： CY7C1318KV18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1318KV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1318KV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1318KV18-250BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1318KV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1318KV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1318KV18-250BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步双端口静态RAM（SRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、256K × 18位（共4.5 Mbit）、250MHz工作频率的双端口SRAM，支持左右两个独立端口同时读/写操作，无总线争用，具备中断标志与忙信号机制。 其典型应用场景包括： - 高速通信设备：如网络交换机、路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲及地址/内容查找表（TCAM辅助存储），利用双端口特性实现无缝数据流吞吐； - 工业与嵌入式控制系统：用于PLC、运动控制器中实时共享内存，CPU与DSP/FPGA可并行访问同一存储区，提升多任务协同效率； - 测试测量仪器：示波器、逻辑分析仪等需高速采集与实时处理的设备中，作为深度采样缓存，支持连续触发与回放； - 军事与航空航天电子系统：凭借-40°C至+85°C工业级温度范围（BZI后缀代表Industrial Grade）及高可靠性设计，适用于抗干扰要求严苛的板载数据暂存与冗余控制存储。 该芯片采用165-ball FBGA封装（13 mm × 13 mm），适合高密度PCB布局，广泛应用于对低延迟、确定性访问和数据一致性有严格要求的中高端嵌入式与通信领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49599 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1318KV18-250BZI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1318KV18250BZI |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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