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- 型号： CY7C1318JV18-300BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1318JV18-300BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1318JV18-300BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1318JV18-300BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1318JV18-300BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1318JV18-300BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1318JV18-300BZC 是赛普拉斯（现属英飞凌）推出的高性能同步静态RAM（SSRAM），属于存储器类别。该器件为1.8V供电、2M×18位（共36Mb）、300MHz（3.3ns读取周期）的双端口SRAM，采用119球BGA封装（ZC后缀）。 其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机中的包缓冲、FIFO队列及查找表（LUT）缓存，利用其低延迟和双时钟域支持实现线速数据吞吐； - 通信基站与光传输系统：用于CPRI/eCPRI接口的数据暂存、信道均衡中间结果缓存及FPGA协处理器的高速本地内存； - 工业与医疗成像系统：在实时图像采集/处理链路中作为帧缓冲或DMA数据中转站，满足确定性低抖动访问需求； - 测试测量仪器：如高速逻辑分析仪、示波器中用于深度采样数据的临时存储，依赖其全同步接口与可预测的3.3ns访问时间； - 高端FPGA/ASIC配套存储：常作为Xilinx UltraScale+或Intel Stratix 10等器件的外置高速缓存，弥补片上Block RAM容量与带宽限制。 该芯片不适用于大容量、低成本、低功耗场景（如手机主存或SSD缓存），因其SRAM特性导致单位容量成本高、静态功耗相对显著，核心价值在于纳秒级确定性访问与并行总线带宽（最高达5.4GB/s）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 300MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1318JV18-300BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 300MHz |
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