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- 型号： CY7C1318CV18-200BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1318CV18-200BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1318CV18-200BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1318CV18-200BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1318CV18-200BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1318CV18-200BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1318CV18-200BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的18位×64K（1.152Mb）QDR II+ SRAM。其主要应用场景包括： - 高速网络设备：广泛用于路由器、交换机、防火墙等数据包处理单元，作为缓存或FIFO缓冲，满足线速转发对低延迟、双倍数据速率（QDR II+支持读写并发）的需求。 - 通信基站与无线基础设施：在LTE/5G基带处理中，为数字信号处理器（DSP）、FPGA或ASIC提供高速暂存空间，支撑信道编码、FFT/IFFT运算及数据流调度。 - 测试测量与高端工业设备：在高速逻辑分析仪、协议分析仪中用作深度数据采集缓存；在实时工业控制系统中保障确定性低延迟访问。 - 军事与航空航天电子系统：凭借-40°C至+85°C工业级宽温（ZI后缀）和高可靠性设计，适用于雷达信号处理、航电数据记录等严苛环境。 该器件支持200MHz时钟（1.0ns周期）、400Mbps/pin（QDR II+），具备独立读写端口、突发访问模式及可编程输出驱动强度，特别适合需高吞吐、零等待、确定性时序的关键嵌入式应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1318CV18-200BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 200MHz |
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