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  • 型号: CY7C1314BV18-250BZXC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1314BV18-250BZXC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1314BV18-250BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1314BV18-250BZXC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1314BV18-250BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1314BV18-250BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1314BV18-250BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1Mb(128K × 8位)容量、18位总线宽度(实际为128K × 18位,支持字节/半字/全字访问)、250MHz时钟频率(tCLK = 2.5ns)、3.3V供电的QDR II+兼容型SRAM。

其典型应用场景包括:  
- 网络通信设备:用作高速数据包缓冲、FIFO或查找表(如路由器、交换机中的CAM辅助缓存、MAC层临时存储);  
- 电信基础设施:在基站基带处理单元(BBU)、光传输设备(OTN/SDH)中承担低延迟、确定性读写的关键缓存;  
- 工业与嵌入式系统:适用于实时控制、视频采集卡、医疗成像设备等对访问时序严格、无刷新需求、抗干扰强的场景;  
- 测试测量仪器:作为高速逻辑分析仪、示波器的数据采集缓存,利用其双端口特性(可选读写分离)实现无缝流式捕获;  
- 军事/航天加固应用(因BZXC后缀含工业级温度范围–40°C ~ +85°C及符合JESD22可靠性标准):用于雷达信号处理、飞行控制系统的暂存模块。

该器件支持QDR II+协议(双沿采样、独立读写端口),具备高吞吐(理论峰值带宽达1.8 Gbps)、零等待周期、低功耗待机等优势,特别适合替代传统异步SRAM或DDR在需确定性时序的关键路径中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

CY7C1314BV18-250BZXC

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(13x15)

包装

托盘

存储器类型

SRAM - 同步,QDR II

存储容量

18M(512K x 36)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

136

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

250MHz

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