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  • 型号: CY7C1314BV18-200BZXC
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1314BV18-200BZXC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1314BV18-200BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1314BV18-200BZXC封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1314BV18-200BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1314BV18-200BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1314BV18-200BZXC 是 Cypress Semiconductor(现属英飞凌)推出的高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于1Mb(128K × 8位)容量、18位总线宽度(实际为16位数据+2位校验)、200MHz(5ns周期)工作频率的DDR II型QDR SRAM(Quad Data Rate),采用165-ball FBGA封装(BZXC后缀表示无铅、符合RoHS、工业级温度范围–40°C至+85°C)。

其主要应用场景聚焦于对带宽、低延迟和确定性时序要求极高的中高端嵌入式与通信系统,包括:  
- 网络设备:路由器、交换机中的包缓冲器(Packet Buffer)、查找表(LUT)、队列管理器,利用QDR双沿采样与独立读写端口实现高吞吐流水线处理;  
- 电信基础设施:基站基带单元(BBU)、光传输设备(OTN/SDH)中的帧缓存、FIFO及协议处理暂存;  
- 工业与医疗成像系统:如超声、内窥镜等实时图像采集链路中,作为高速图像数据暂存与预处理缓冲;  
- 测试测量仪器:逻辑分析仪、高速示波器的数据采集缓存,保障连续高速采样不丢点;  
- 军事/航空电子:需宽温、高可靠性场景下的实时信号处理中间缓存(得益于工业级温度与Cypress成熟工艺)。

该器件不适用于大容量主存或低成本消费类应用,而是面向需要纳秒级访问、零等待状态、确定性读写时序的关键数据通路节点。
产品参数 图文手册 常见问题
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