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CY7C1312KV18-250BZC产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1312KV18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1312KV18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1312KV18-250BZC封装/规格:存储器, SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb (1M x 18) Parallel 250MHz 165-FBGA (13x15)。您可以下载CY7C1312KV18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1312KV18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1312KV18-250BZC是Cypress Semiconductor Corp生产的一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),属于其18Mb QDR™ II+ SRAM系列产品。该器件采用1.8V核心电压,具有双倍数据速率(QDR)架构,支持高带宽数据传输,适用于对性能要求严苛的通信和网络设备。 主要应用场景包括:高性能网络设备如路由器、交换机和基站系统,用于数据包缓冲和高速缓存;电信基础设施中的传输设备和无线接入平台;以及需要快速读写响应的测试测量仪器和工业控制系统。其高吞吐量和低延迟特性使其特别适合处理大量实时数据流的应用场合。 此外,该芯片工作温度范围广(商业级或工业级),封装紧凑(BGA封装),便于在空间受限的高密度电路板上使用。凭借可靠的性能和稳定性,CY7C1312KV18-250BZC广泛应用于中高端通信系统中,满足现代网络对高速数据处理的需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49111 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1312KV18-250BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 其它名称 | CY7C1312KV18250BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,QDR II |
| 存储容量 | 18M(1M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |