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产品简介:
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MR2A16AVMA35R 是 Everspin Technologies 推出的一款 4Mb(512K × 8)工业级非易失性磁阻式随机存取存储器(MRAM),采用35ns高速异步SRAM兼容接口,封装为44-pin TSOP-II。其核心优势在于“无限次读写、掉电数据零丢失、高抗辐射与宽温工作(–40°C 至 +85°C)”,无需备用电池或电容即可实现即时非易失性。 典型应用场景包括: 1. 工业自动化与PLC:用于保存运行参数、I/O状态、故障日志等关键数据,在断电瞬间实时固化,确保系统重启后状态精准恢复; 2. 航空电子与航天设备:凭借高抗单粒子翻转(SEU)和耐辐照特性,适用于飞行控制、导航计算机中的配置存储与黑匣子缓存; 3. 医疗设备:在MRI、CT等高电磁干扰环境中,可靠存储校准数据、患者设置及紧急事件记录,满足IEC 62304安全要求; 4. 网络通信设备:用作交换机/路由器的控制平面配置寄存器或FPGA配置存储,避免传统EEPROM写入慢、寿命短的缺陷; 5. 智能电表与能源管理系统:长期记录用电数据、事件时间戳,支持10年以上数据保持(>20年典型值),免维护。 该器件替代传统SRAM+电池或EEPROM方案,显著提升系统可靠性、简化BOM并降低设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 4MBIT 35NS 48FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MR2A16AVMA35R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 48-FBGA(8x8) |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 存储器类型 | MRAM(磁阻 RAM) |
| 存储容量 | 4M (256K x 16) |
| 封装/外壳 | 48-LFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 105°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,500 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |