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- 型号： CY7C1312CV18-250BZI
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1312CV18-250BZI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1312CV18-250BZI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1312CV18-250BZI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1312CV18-250BZI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1312CV18-250BZI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1312CV18-250BZI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的1Mb（128K × 8位）QDR II+ SRAM，带双数据速率接口，访问时间为250MHz（4ns周期）。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、查找表（LUT）、FIB/CAM缓存，利用QDR II+的独立读/写端口实现无冲突并发访问，满足线速转发需求。 - 电信基础设施：基站基带处理、光传输系统（OTN/SDH）中的帧同步、时隙交换及FPGA/ASIC协处理器的低延迟本地内存。 - 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器中用于实时数据捕获与深度缓存，依赖其确定性低延迟和稳定时序。 - 军事与航空电子：因该器件为工业级扩展温度（–40°C 至 +85°C）且符合JESD22可靠性标准，适用于抗干扰要求高的嵌入式实时控制系统。 注：该型号已停产（EOL），当前多由英飞凌兼容型号或DDR3/LPDDR4等替代，但存量设备中仍广泛用于对确定性时序和零等待状态访问有严苛要求的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1312CV18-250BZI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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