Datasheet下载- 型号： CY7C1312BV18-250BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1312BV18-250BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1312BV18-250BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1312BV18-250BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1312BV18-250BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1312BV18-250BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1312BV18-250BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、256K × 18位（4.5 Mbit）QDR™ II+架构的双端口SRAM。其典型应用场景包括： - 网络通信设备：广泛用于高速路由器、交换机、防火墙等的数据包缓冲、查找表（LUT）、FIB（转发信息库）缓存，得益于QDR II+双数据速率、独立读/写端口及250MHz时钟（1Gb/s有效带宽），可满足线速转发需求。 - 电信基础设施：适用于基站基带处理单元（BBU）、光传输系统（OTN/SDH）中的帧同步、时隙交换和暂存缓冲，支持低延迟、确定性访问。 - 测试与测量仪器：在高速逻辑分析仪、协议分析仪中用作深度数据捕获缓存，利用其无等待、全同步特性保障采样完整性。 - 工业与军事嵌入式系统：在高可靠性要求场景（如雷达信号处理、实时控制）中作为CPU或FPGA的高速片外缓存，支持-40°C至+85°C工业级工作温度（BZC后缀为无铅、符合RoHS的TQFP封装）。 该器件不适用于大容量长期存储（如Flash或DRAM替代），而是面向对带宽、延迟和确定性时序极为敏感的中等容量高速缓存应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 250MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1312BV18-250BZC |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，QDR II |
| 存储容量 | 18M（1M x 18） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 250MHz |
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