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型号： CY7C1311CV18-200BZC
制造商： Cypress Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1311CV18-200BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1311CV18-200BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1311CV18-200BZC封装/规格：未分类，暂无。您可以下载CY7C1311CV18-200BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1311CV18-200BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1311CV18-200BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V供电的18位×64K（1.152Mb）QDR-II+（Quad Data Rate II Plus）SRAM。其典型应用场景聚焦于对带宽、低延迟和确定性时序要求极高的高速数据缓冲与暂存领域：

1. 网络通信设备：广泛用于高端路由器、交换机、防火墙及网络处理器（NPU）中，作为包缓冲、队列管理、查找表（如TCAM辅助缓存）或流量整形的高速暂存单元，利用QDR-II+双沿读/写+双端口特性实现无冲突的并发读写（如一个端口写入新数据包，另一端口同时读出待转发包）。

2. 电信基础设施：在基站（如5G NR基带单元）、光传输设备（OTN/SDH）中，承担信道编码/解码中间结果缓存、FIFO桥接、速率匹配等功能，满足严格时序（200MHz时钟，1.2ns读写周期）和零等待访问需求。

3. 测试与测量仪器：高速逻辑分析仪、示波器等需实时捕获并暂存海量采样数据，该器件提供稳定、可预测的纳秒级访问延迟，保障数据完整性。

4. 军事/航天与工业控制：凭借工业级温度范围（–40°C 至 +85°C）及高可靠性设计，适用于雷达信号处理、实时图像缓冲等关键任务系统。

注：该芯片已于2021年进入停产（EOL）状态，当前多用于存量设备维护或替代方案评估，新设计建议参考英飞凌推荐的升级型号（如PSRAM或新型QDR SRAM）。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC SRAM 18MBIT 200MHZ 165FBGA
产品分类	存储器
品牌	Cypress Semiconductor Corp
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	CY7C1311CV18-200BZC
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	165-FBGA（13x15）
包装	托盘
存储器类型	SRAM - 同步，QDR II
存储容量	18M（2M x 8）
封装/外壳	165-LBGA
工作温度	0°C ~ 70°C
接口	并联
标准包装	136
格式-存储器	RAM
电压-电源	1.7 V ~ 1.9 V
速度	200MHz