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  • 型号: CY7C1308DV25C-167BZCT
  • 制造商: Cypress Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1308DV25C-167BZCT由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1308DV25C-167BZCT价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1308DV25C-167BZCT封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1308DV25C-167BZCT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1308DV25C-167BZCT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1308DV25C-167BZCT 是赛普拉斯(Cypress,现属英飞凌)推出的高速CMOS静态RAM(SRAM),属于存储器类别。该器件为2Mb(256K × 8位)容量、3.3V供电、TSOP-II封装(BZCT后缀表示无铅、符合RoHS的44引脚封装),访问时间为167MHz(即6ns访问时间),支持流水线同步读/写操作,具备时钟使能(CEN)、输出使能(OE)和字节使能(UB/LB)等工业级控制信号。

其典型应用场景包括:  
- 通信设备:用于网络交换机、路由器中的数据包缓存、FIFO缓冲及地址查表(如CAM辅助存储);  
- 工业控制与自动化系统:作为PLC、运动控制器或嵌入式CPU(如ARM Cortex-M7/A系列)的高速片外缓存或实时数据暂存区;  
- 测试测量仪器:在高速示波器、逻辑分析仪中用作采样数据缓存,满足高吞吐、低延迟需求;  
- 视频处理模块:用于帧缓冲、图像预处理中间结果暂存(尤其在未集成大容量片上SRAM的SoC方案中);  
- 航空航天与军工嵌入式系统:凭借宽温(–40°C 至 +85°C)、高可靠性及抗辐射设计(部分版本),适用于任务关键型实时数据存储。

需注意:该型号已进入产品生命周期末期(EOL),新设计建议评估英飞凌推荐替代料(如IS61WV25616BLL等兼容SRAM)或转向DDR/LPDDR方案。应用时应严格遵循时序约束与电源完整性设计要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC SRAM 9MBIT 167MHZ 165FBGA

产品分类

存储器

品牌

Cypress Semiconductor Corp

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

CY7C1308DV25C-167BZCT

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

165-FBGA(13x15)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

SRAM - 同步,DDR

存储容量

9M(256K x 36)

封装/外壳

165-LBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

2.4 V ~ 2.6 V

速度

167MHz

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