Datasheet下载- 型号： CY7C1268V18-400BZXC
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1268V18-400BZXC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1268V18-400BZXC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1268V18-400BZXC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1268V18-400BZXC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1268V18-400BZXC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1268V18-400BZXC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于18Mb（1M × 18位）QDR II+架构的双端口SRAM。其主要应用场景集中在对带宽、低延迟和确定性时序要求极高的嵌入式与通信系统中。 典型应用包括： - 网络设备：用于高端路由器、交换机及网络处理器（NPU）中的数据包缓冲、队列管理、查找表（如TCAM辅助缓存）和流量整形，得益于QDR II+双时钟（K/K#）、读写独立总线及400MHz（200MHz DDR等效800MT/s）高速接口，可支撑10G/40G以太网线速处理。 - 电信基础设施：在基站基带单元（BBU）、OTN传输设备及SDH/SONET帧处理模块中，承担实时信元/分组暂存、FIFO缓冲及协议解析中间缓存。 - 测试测量与军工航电：适用于高速数据采集系统（如示波器、逻辑分析仪）的深度缓存，以及雷达信号处理、飞行控制等对可靠性（该器件支持工业级温度范围–40°C至+85°C，无铅封装BGA）和零等待状态访问有严苛要求的场景。 该芯片不适用于大容量、低成本存储（如SSD或内存条），亦非Flash或DRAM替代品，其核心价值在于纳秒级随机访问延迟（tAA ≤ 3.5ns）与高吞吐并行能力，专为关键路径数据暂存而优化。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1268V18-400BZXC |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=18819 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（15x17） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II |
| 存储容量 | 36M（4M x 8） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 105 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 400MHz |
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