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产品简介:
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CY7C11681KV18-450BZC 是 Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌Infineon)推出的一款高性能同步SRAM(静态随机存取存储器),属于QDR™ II+(Quad Data Rate II Plus)类型,容量为18Mb(1M × 18位),工作频率达450MHz(tCLK = 2.22ns),支持双倍数据速率读写,具备独立读/写端口和突发访问能力。 其典型应用场景包括: - 高速网络设备:如核心路由器、交换机中的包缓冲、FIFO、查找表(LUT)及流量管理模块,利用其低延迟与高吞吐(可达1.8 Gbps/端口)满足线速转发需求; - 电信基础设施:基站基带处理单元(BBU)、OTN/SDH传输设备中用于信元/帧缓存、时隙交换及协议处理中间数据暂存; - 测试与测量仪器:高端示波器、逻辑分析仪需大带宽实时数据采集与深度缓存,该器件支持连续突发读写,适配高速ADC/DAC接口; - 军事与航空电子:在雷达信号处理、航电总线桥接等对确定性延迟和抗辐射可靠性要求高的场景中,作为可信赖的高速暂存器(工业级温度范围–40°C至+85°C,符合JESD22标准); - FPGA协处理器系统:常与Xilinx或Intel FPGA搭配,作为外挂高速缓存或共享内存,提升软硬件协同处理效率。 注:该器件已停产(EOL),当前多由英飞凌提供替代方案(如PSRAM或新型QDR-IV器件),设计选型时需关注生命周期与兼容替代。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 450MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | CY7C11681KV18-450BZC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA(13x15) |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步,DDR II+ |
| 存储容量 | 18M(1M x 18) |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 450MHz |