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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CY7C1150KV18-450BZC
- 制造商： Cypress Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1150KV18-450BZC由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1150KV18-450BZC价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1150KV18-450BZC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1150KV18-450BZC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1150KV18-450BZC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1150KV18-450BZC 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高性能同步SRAM（静态随机存取存储器），属于1.8V低电压、18位数据总线、256K×18（即4.5Mb）容量的QDR™ II+ SRAM。其典型应用场景包括： - 高速网络设备：如路由器、交换机、防火墙中的包缓冲、队列管理与查找表（LUT）缓存，得益于QDR II+双数据速率架构（读/写独立端口、单周期访问），可支持高达450MHz时钟（900MT/s有效带宽），满足线速转发需求。 - 电信与基站设备：用于5G无线基站的基带处理单元（BBU）中，作为FPGA或DSP的高速本地缓存，支撑实时信号处理、FFT运算及突发数据暂存。 - 测试测量仪器：高端示波器、逻辑分析仪等需高速采集与实时处理的设备中，用作深度采样缓冲器，确保高吞吐、低延迟的数据暂存。 - 工业与军事嵌入式系统：在对可靠性、温度范围（该器件为工业级，-40°C~+85°C）和确定性时序要求严苛的场景中，提供零等待、无刷新的稳定高速存储。 该器件采用165-ball FBGA封装（BZC后缀），支持先进电源管理（如休眠模式），适用于对功耗与性能均敏感的嵌入式实时系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 18MBIT 450MHZ 165FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49122 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY7C1150KV18-450BZC |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47156 |
| PCN过时产品 | http://www.cypress.com/?docID=44765 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 165-FBGA（13x15） |
| 其它名称 | CY7C1150KV18450BZC |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 同步，DDR II+ |
| 存储容量 | 18M（512K x 36） |
| 封装/外壳 | 165-LBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 136 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/cypress-semiconductor-qdr-extreme-sram/2805 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 450MHz |
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