Datasheet下载- 型号： CY7C1021D-10VXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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CY7C1021D-10VXI产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1021D-10VXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1021D-10VXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1021D-10VXI封装/规格：存储器， SRAM - 异步 存储器 IC 1Mb （64K x 16） 并联 10ns 44-SOJ。您可以下载CY7C1021D-10VXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1021D-10VXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1021D-10VXI 是英飞凌（Infineon Technologies）旗下的一款高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为128K × 8位（1 Mbit），访问时间仅10 ns，工作电压为5 V，工业级温度范围（–40°C 至 +85°C），封装为44-pin TSOP II。需说明的是：该型号原属Cypress Semiconductor（赛普拉斯）产品线，而英飞凌于2020年完成对赛普拉斯的收购，因此现归属于Infineon品牌体系。 其典型应用场景包括： - 工业控制设备中作为CPU或DSP的高速缓存/数据缓冲区，用于实时数据暂存与快速读写； - 通信设备（如网络交换机、路由器、基站基带单元）中的帧缓冲、FIFO或协议处理临时存储； - 医疗电子设备（如影像采集模块、监护仪）中需确定性低延迟响应的关键数据暂存； - 航空航天及汽车电子（符合AEC-Q100 Grade 3可选版本）中对可靠性与温度适应性要求高的嵌入式系统； - 测试测量仪器（如逻辑分析仪、示波器）的高速采样数据缓存。 该器件不适用于大容量长期存储（如Flash或EEPROM），亦非DRAM替代品，其核心价值在于零等待、无刷新、确定性时序的高速并行访问能力，适合对实时性、稳定性和接口简洁性要求严苛的嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 10NS 44SOJ静态随机存取存储器 2Mb 10ns 64K x 16 Fast Async 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Cypress Semiconductor |
| 产品手册 | http://www.cypress.com/?docID=44980 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1021D-10VXI- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=44980 |
| 产品型号 | CY7C1021D-10VXI |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47157http://www.cypress.com/?docID=48115 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 44-SOJ |
| 其它名称 | 428-1971-5 |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 44-BSOJ （0.400"， 10.16mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOJ-44 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 17 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 3 mA |
| 最大时钟频率 | 100 MHz |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 340 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | CY7C1021D |
| 组织 | 64 k x 16 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 速度 | 10ns |
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