Datasheet下载- 型号： IS61LV12824-10TQI
- 制造商： ISSI
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IS61LV12824-10TQI由ISSI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IS61LV12824-10TQI价格参考。ISSIIS61LV12824-10TQI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IS61LV12824-10TQI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IS61LV12824-10TQI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ISSI（Integrated Silicon Solution Inc）的IS61LV12824-10TQI是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），容量为128K x 24位，采用高速CMOS工艺制造，工作电压为3.3V。该器件广泛应用于对数据存取速度和稳定性要求较高的场景。 其主要应用场景包括： 1. 网络与通信设备：如路由器、交换机等，用于高速缓存数据包，提升数据转发效率。 2. 工业控制系统：用于PLC、工业计算机等设备中，作为高速数据缓冲存储器，提高系统响应速度和稳定性。 3. 汽车电子系统：如高级驾驶辅助系统（ADAS）、车载信息娱乐系统（IVI）等，用于临时存储关键数据或程序代码。 4. 测试与测量设备：如示波器、逻辑分析仪等，用于高速数据采集和处理，提升测量精度和响应速度。 5. 医疗设备：如影像设备、监护仪等，用于快速处理和缓存实时数据，确保系统运行的连续性和可靠性。 6. 消费类电子产品：如高端打印机、扫描仪等，用于缓存图像数据，提升打印或扫描效率。 该SRAM具备高速访问时间（10ns）、低功耗、工业级温度范围（-40℃至+85℃）等特点，适合在严苛环境下稳定运行，是众多高性能系统中的关键存储组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 3MBIT 10NS 100TQFP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IS61LV12824-10TQI |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 100-TQFP（14x20） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 3M（128K x 24） |
| 封装/外壳 | 100-LQFP |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 72 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3.135 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 10ns |
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