Datasheet下载- 型号： CY7C1019D-10ZSXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1019D-10ZSXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1019D-10ZSXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1019D-10ZSXI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY7C1019D-10ZSXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY7C1019D-10ZSXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY7C1019D-10ZSXI是Cypress Semiconductor Corp生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM），容量为128K × 8位（即1兆位），采用高速CMOS技术，访问时间低至10纳秒。该型号属于异步SRAM，工作电压为3.3V，封装形式为44引脚SOJ，具备低功耗与高可靠性的特点。 该芯片广泛应用于对数据存取速度和稳定性要求较高的场景。典型应用包括网络设备中的数据缓存、通信系统中的缓冲存储、工业控制设备中的实时数据处理模块，以及测试测量仪器中的临时数据存储。此外，它也常用于嵌入式系统、路由器、交换机、打印机、医疗设备和汽车电子等需要快速响应的领域。 由于其无需刷新、操作简单且读写速度快，CY7C1019D-10ZSXI特别适用于需要频繁读写、不能中断的关键任务系统。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其能在恶劣环境下稳定运行，适合工业自动化和户外通信设备使用。 综上，CY7C1019D-10ZSXI是一款高性能SRAM，适用于高速、高可靠性要求的中等容量存储应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP静态随机存取存储器 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async 静态随机存取存储器 |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Cypress Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1019D-10ZSXI- |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49266 |
| 产品型号 | CY7C1019D-10ZSXI |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 静态随机存取存储器 |
| 供应商器件封装 | 32-TSOP II |
| 其它名称 | 428-1965 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Cypress Semiconductor |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 1 Mbit |
| 存储类型 | SDR |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-32 |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 工厂包装数量 | 117 |
| 接口 | Parallel |
| 最大工作温度 | + 85 C |
| 最大工作电流 | 80 mA |
| 最大时钟频率 | 100 MHz |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 117 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电源电压-最大 | 5.5 V |
| 电源电压-最小 | 4.5 V |
| 类型 | Asynchronous |
| 系列 | CY7C1019D |
| 组织 | 128 k x 8 |
| 访问时间 | 10 ns |
| 速度 | 10ns |
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