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  • 型号: CY7C1019D-10VXI
  • 制造商: Cypress Semiconductor
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  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CY7C1019D-10VXI由Cypress Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY7C1019D-10VXI价格参考。Cypress SemiconductorCY7C1019D-10VXI封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CY7C1019D-10VXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CY7C1019D-10VXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CY7C1019D-10VXI 是英飞凌(Infineon Technologies)旗下的一款高速CMOS静态RAM(SRAM),容量为128K×8位(1 Mbit),访问时间为10 ns,工作电压为3.3 V,采用PLCC-32或SOIC-32封装,工业级温度范围(–40°C 至 +85°C),后缀“VXI”表示符合工业级可靠性与环保标准(无铅、符合RoHS)。

该器件主要应用于对读写速度、低功耗和稳定性要求较高的嵌入式系统中,典型场景包括:  
- 工业自动化设备(如PLC、运动控制器、HMI人机界面)中的高速缓存或临时数据缓冲;  
- 通信设备(如路由器、交换机、基站基带模块)中用于帧缓存、FIFO或协议处理的本地RAM;  
- 医疗电子设备(如便携式监护仪、影像采集前端)中需快速存取实时采样数据的场景;  
- 汽车电子控制单元(ECU)中符合AEC-Q100 Grade 3要求的非安全关键子系统(注:本型号为工业级,非车规级,实际车载应用需确认具体认证版本);  
- 测试测量仪器(如逻辑分析仪、数字示波器)的数据采集缓存。

需注意:Infineon于2014年完成对赛普拉斯(Cypress)的收购,而CY7C1019D系列原属Cypress产品线,现由Infineon统一支持。该芯片已进入产品生命周期后期(Not Recommended for New Designs),新设计建议评估替代型号(如Infineon的Excelon™ F-RAM或更现代的低功耗SRAM)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC SRAM 1MBIT 10NS 32SOJ静态随机存取存储器 1Mb 10ns 128K x 8 Fast Async 静态随机存取存储器

产品分类

存储器集成电路 - IC

品牌

Cypress Semiconductor Corp

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

内存,静态随机存取存储器,Cypress Semiconductor CY7C1019D-10VXI-

数据手册

http://www.cypress.com/?docID=49266

产品型号

CY7C1019D-10VXI

PCN组件/产地

http://www.cypress.com/?docID=47157http://www.cypress.com/?docID=48115

产品目录页面

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产品种类

静态随机存取存储器

供应商器件封装

32-SOJ

其它名称

428-1964-5
CY7C1019D-10VXI-ND
CY7C1019D10VXI

包装

管件

商标

Cypress Semiconductor

存储器类型

SRAM - 异步

存储容量

1M (128K x 8)

存储类型

SDR

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

32-BSOJ (0.400", 10.16mm 宽)

封装/箱体

SOJ-32

工作温度

-40°C ~ 85°C

工厂包装数量

23

接口

并联

最大工作温度

+ 85 C

最大工作电流

80 mA

最大时钟频率

100 MHz

最小工作温度

- 40 C

标准包装

23

格式-存储器

RAM

电压-电源

4.5 V ~ 5.5 V

电源电压-最大

5.5 V

电源电压-最小

4.5 V

类型

Asynchronous

系列

CY7C1019D

组织

128 k x 8

访问时间

10 ns

速度

10ns

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