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产品简介:
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CY62157ELL-55BVXE 是 Cypress Semiconductor Corp(现属英飞凌科技)推出的一款高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),容量为1024K × 16位(即16Mb),访问时间仅55ns,采用3.3V单电源供电,封装为48-pin TSOP II(BVXE后缀对应无铅、符合RoHS的工业级温度范围–40°C至+85°C)。 其主要应用场景包括: - 工业控制与自动化设备:用于PLC、HMI人机界面、运动控制器等需快速、可靠数据缓存和实时响应的系统; - 网络通信设备:在交换机、路由器、基站基带处理单元中作为帧缓冲、FIFO或临时数据暂存; - 嵌入式系统与医疗电子:如便携式监护仪、影像采集模块等对低功耗、高可靠性及宽温性能有要求的场景; - 测试测量仪器:示波器、逻辑分析仪等需高速采集并暂存大量采样数据的设备; - 汽车电子(非安全关键域):车载信息娱乐系统(IVI)、ADAS辅助模块中的非ASIL等级数据缓存应用(需注意该型号为工业级,非AEC-Q100认证,故不适用于动力/安全核心系统)。 该器件不带内置电池或非易失性特性,属易失性SRAM,断电即丢失数据,因此常配合备用电源或与Flash/EEPROM协同使用。其低功耗待机电流(典型值≤1μA)亦适用于电池供电的间歇工作设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 8MBIT 55NS 48VFBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY62157ELL-55BVXE |
| PCN组件/产地 | http://www.cypress.com/?docID=47161 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MoBL® |
| 供应商器件封装 | 48-VFBGA(6x8) |
| 其它名称 | CY62157ELL55BVXE |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 8M(512K x 16) |
| 封装/外壳 | 48-VFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 480 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 速度 | 55ns |