Datasheet下载- 型号： CY62138FV30LL-45ZSXI
- 制造商： Cypress Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CY62138FV30LL-45ZSXI由Cypress Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CY62138FV30LL-45ZSXI价格参考。Cypress SemiconductorCY62138FV30LL-45ZSXI封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CY62138FV30LL-45ZSXI参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CY62138FV30LL-45ZSXI 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CY62138FV30LL-45ZSXI 是 Cypress Semiconductor（现属英飞凌）推出的高速低功耗CMOS静态RAM（SRAM），容量为2 Mbit（256K × 8），采用3.3V供电，访问时间仅45ns，封装为44-pin TSOP II（ZSXI后缀表示工业级温度范围：–40°C 至 +85°C），带无铅（Pb-free）与符合RoHS标准。 其典型应用场景包括： - 工业控制设备：如PLC、HMI人机界面、运动控制器等，需在宽温、高可靠性环境下实现快速数据缓存与实时寄存器读写； - 网络通信设备：交换机、路由器中的包缓冲、地址表暂存、FPGA/ASIC配置数据缓存，受益于其低延迟与稳定时序； - 汽车电子（非安全关键系统）：车载信息娱乐（IVI）、仪表盘显示控制模块中用于图形帧缓冲或中间数据暂存（满足AEC-Q100 Grade 3要求，ZSXI工业级可适配部分车规环境）； - 医疗仪器：便携式监护仪、影像采集前端等对响应速度和功耗敏感的设备，用作临时数据缓冲或状态寄存器； - 嵌入式系统：与MCU（如ARM Cortex-M系列）或DSP协同工作，扩展片外高速RAM资源，提升实时数据处理能力。 该器件不适用于大容量存储（如代码存储），亦非Flash或EEPROM替代品，而是面向需要纳秒级随机访问、零写入延迟、无限擦写次数的高性能缓存场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC SRAM 2MBIT 45NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Cypress Semiconductor Corp |
| 数据手册 | http://www.cypress.com/?docID=49121 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CY62138FV30LL-45ZSXI |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MoBL® |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP II |
| 包装 | 管件 |
| 存储器类型 | SRAM - 异步 |
| 存储容量 | 2M （256K x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 117 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 2.2 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 45ns |
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